• Главная

label

Добро пожаловать на сайт ресурсного центра “Физические методы исследования поверхности”
Научного парка СПбГУ!

Ресурсный центр (РЦ) предназначен для проведения научно-исследовательских работ в условиях сверхвысокого вакуума, посвящённых исследованию поверхностных наноструктур и композитных материалов, анализу локальной атомной структуры, морфологии, особенностей электронной энергетической и спиновой структуры. Основными экспериментальными методами, реализованными в РЦ, являются: оже-электронная спектроскопия, рентгеновская и ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия, а также сверхвысоковакуумная туннельная и атомно-силовая микроскопии.

На этом сайте Вы найдете полную информацию об оборудовании, методах исследования поверхности и результатах работы пользователей РЦ.

Новости
24.08.2022 С участием РЦ "Физические методы исследования поверхности" опубликована юбилейная трехсотая статья в периодическом издании (см. раздел "Публикации").
09.08.2022 C космодрома «Байконур» состоялся запуск 16 малых космических аппаратов образовательного проекта Space-π в качестве попутной полезной нагрузки при запуске коммерческого зарубежного спутника. Среди запущенных малых космических аппаратов — и спутник «Геоскан-Эдельвейс», система навигации которого создана с использованием компонентов, модифицированных в рамках договора ООО «Геоскан» с СПбГУ. Для этого были проведены работы по напылению покрытий заданной формы в ресурсных центрах Научного парка СПбГУ: «Физические методы исследования поверхности» (установка магнетронного распыления Kepler 450) и «Наноструктурирование фотоактивных материалов» (фотолитография).

Подробная информация доступна по ссылке на сайте компании "Геоскан"

02.08.2022 Сотрудники ресурсного центра "Физические методы исследования поверхности" Жижин Е.В. и Пудиков Д.А. совместно с сотрудником кафедры электроники твердого тела Комоловым А.С. разработали технологию получения монослойного силицена с использованием оборудования ресурсного центра. Подобный материал впервые на практике получен в СПбГУ. Силицен является кремниевым аналогом графена: это материал, имеющий такую же кристаллическую структуру, но состоящий из атомов кремния. В последнее время начали появляться теоретические работы, показывающие схожесть этих материалов относительно параметров электронной структуры, из-за которых такую большую популярность приобрел графен: у обоих есть Дираковский конус электронных состояний в K-точке зоны Бриллюэна, а перенос заряда осуществляется безмассовыми фермионами. Однако вследствие нестабильности монослоя атомов кремния успешных способов производства силицена на настоящий момент известно достаточно мало.
Согласно технологии синтез проводится методом молекулярно-лучевой эпитаксии на системе Ag(111)/W(110). Полученный силицен имеет достаточно большие размеры отдельных доменов (до 100 нм).

За разработанную технологию авторам выдан российский и евразийский патент (см. раздел "Патенты").

 

 

Манипуляция Основные направления
исследований
Исследуемые объекты

Управление электронными свойствами

Управление геометрической структурой

Управление процессами

Фотоактивные материалы

Термоэлектрические материалы

Катализаторы

Биоматериалы

Наноэлектроника и спинтроника

Графен и топологические изоляторы

Магнетизм наноструктур